SK하이닉스가 메모리 반도체 업계 최초로 차세대 노광장비인 ‘High NA EUV(고개구수 극자외선 노광기)’를 양산용으로 도입하며 AI 시대에 걸맞은 초미세 공정 경쟁력 확보에 나섰다.

SK하이닉스는 3일 이천 M16 팹(Fab)에 네덜란드 ASML의 최신 노광장비 ‘트윈스캔 EXE:5200B’를 반입하고, 현장에서 기념 행사를 개최했다고 밝혔다.

‘High NA EUV’는 기존 EUV 장비 대비 렌즈의 개구수(NA)를 0.33에서 0.55로 키운 차세대 장비다. 개구수가 클수록 렌즈가 더 많은 빛을 모아 회로를 더욱 정밀하게 구현할 수 있는데, 이번 장비는 기존 EUV보다 1.7배 높은 정밀도와 2.9배 향상된 집적도를 자랑한다.

이는 회로 선폭을 더욱 줄이고, 한 장의 웨이퍼에서 생산할 수 있는 칩 수를 늘리는 데 결정적인 역할을 한다. SK하이닉스는 이번 장비 도입으로 생산 공정을 단순화하고, 고성능·저전력 D램 등 차세대 메모리 개발 속도를 앞당길 수 있을 것으로 기대하고 있다.

SK하이닉스는 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV 공정을 처음 도입한 이후, 지속적으로 EUV 활용을 확대해 왔다. 그러나 최근 업계는 AI·고성능 컴퓨팅 시장의 급성장과 함께 반도체의 초미세화·고집적화 수요가 폭증하면서 기존 기술만으로는 한계에 직면했다고 내다보고 있다.

이에 따라 SK하이닉스는 차세대 노광 장비 도입을 통해 경쟁사보다 한발 앞서 기술 혁신을 선도하고, 고부가가치 메모리 시장에서 우위를 공고히 한다는 전략이다.

차선용 CTO는 이날 행사에서 “이번 장비 도입은 SK하이닉스가 추진 중인 미래 기술 비전을 실현할 핵심 인프라 확보를 의미한다”며 “AI 및 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 시장을 선도하겠다”고 강조했다.

장비 공급사인 ASML도 이번 협력을 반기며 적극적인 기술 지원을 약속했다. ASML코리아 김병찬 사장은 “High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술”이라며 “SK하이닉스와의 긴밀한 협력을 통해 차세대 메모리 기술 혁신을 앞당기겠다”고 말했다. /김재옥기자